人脑网 4 月 27 日消息，SK 海力士在当地时间 4 月 23 日举行的台积电 2025 年北美技术论坛上展示了多款 DRAM 内存新品，包括先进的 HBM 内存和标准 DIMM 模组。
其中在 HBM 部分，作为首家在 HBM 领域实现 16 层键合的内存企业，SK 海力士带来了采用 Advanced MR-MUF 键合技术的 16Hi HBM 内存模型。
而在具体 HBM 内存产品上，SK 海力士的 HBM3E 和 HBM4 实物也现身论坛，其中 HBM4 内存目前支持 16Hi 堆叠，单堆栈容量可达 48GB，I/O 速度为 8.0Gbps，整体带宽为 2.0TB/s，逻辑裸片 (Logic Die) 部分采用台积电先进制程。
在常规 DIMM 模组部分，SK 海力士则展示了丰富的产品组合。对于一般 RDIMM，此次展出的型号速率都达到了 8000MT/s，包括三款：基于先进 1c nm 制程，最高 64GB 容量；采用 3DS 键合堆叠技术，容量可达 256GB；采用较旧制程，容量 96GB。
对于面向先进服务器的 MRDIMM，SK 海力士则端出了三款速度可达 12800MT/s 的产品：标准板型、基于 1c nm DRAM 的款式容量可达 64GB；同样采用传统板型但基于更旧制程的型号则可达到 96GB；采用更高板型的产品容量能进一步拓展到 256GB。
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