据CNMO了解，三星电子近日在业绩说明会上透露，其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应，预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响，HBM销售额触及低点，但公司预计随着新产品放量，季度业绩将呈现阶梯式复苏。
三星
三星电子存储业务部副社长表示，HBM3E改进版已向主要客户完成样品交付，下半年将重点推进第六代产品HBM4的量产工作，预计2025年实现规模化销售。值得注意的是，针对市场高度关注的定制化HBM，三星正基于HBM4及第七代HBM4E平台，与多家客户展开合作洽谈，部分定制项目或将于2026年与标准版HBM4同步上市。
三星HBM3E 12层产品
财报显示，三星一季度存储业务营收19.1万亿韩元，环比下降17%，但同比增长9%。尽管HBM销售下滑拖累业绩，但服务器用DRAM需求增长及NAND采购回暖成为亮点。展望二季度，公司预计DRAM产品价格将迎来复苏，移动端、PC领域位元增长率有望突破10%，NAND价格跌幅也将趋缓。
在代工业务方面，三星坦言受手机、PC市场持续疲软影响，一季度产能利用率下降导致亏损扩大。但通过聚焦2纳米、4纳米高性能计算（HPC）及AI芯片订单，先进制程（5纳米及以下）订单量实现环比增长。技术部门透露，2纳米第一代工艺已完成可靠性评估，计划二季度启动量产，同时加速推进2纳米第二代及3纳米工艺优化。
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